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Dongting-S1

SATA SSD

洞庭-S1系列(Dongting-S1)

一款符合未来数据中心发展趋势的SSD

全国产方案 | 超大容量 | 支持国密

数据稳定性和可靠性

采用英韧自主研发的第三代LDPC ECC技术,
支持端对端数据保护,确保数据可靠性
稳态随机读写一致性可达到99%

丰富的应用场景

互联网、运营商、工业控制
及数据中心等

Key Features

企业级SATA SSD 产品特性

产品名称/ProductDongting-S1
外形/Form FactorSATA
接口/InterfaceSATA III
容量/Capacity480GB960GB1.92TB3.84TB7.68TB
128KB 顺序读 (MB/s)
128KB Sequential Read (MB/s)
530530530530530
128KB 顺序写 (MB/s)
128KB Sequential Write (MB/s)
510510510510510
4KB 随机读 (IOPS)
Sustained Random Read (4KB) IOPS
80K80K80K80K80K
4KB 随机写 (IOPS)
Sustained Random Write (4KB) IOPS
27K35K50K50K50K
4KB 随机读延时 (μs)
4KB Random Read Latency (μs)
140140140140140
4KB 随机写延时 (μs)
4KB Random Write Latency (μs)
3838383838
典型功耗 (W)
Typical Power(W)
55555
空闲功耗 (W)
ldle Power (W)
1.51.51.51.51.5
DWPD, 5 years1 DWPD1 DWPD1 DWPD1 DWPD1 DWPD
MTBF200 万小时(2 million hours)
UBER≤ 10^-17
介质类型
NAND Flash Type
eTLC NAND Flash
工作温度
Operating Temperature
0℃ ~ 70℃
可定制的数据安全方案 
Customizable Data Security Solution
AES-128/256
备注:产品性能因操作系统和固件版本不同会存在差异。
NOTES:Performance may vary due to different system configurations and firmware version.
产品名称/ProductDongting-S1 1000
外形/Form FactorSATA
接口/InterfaceSATA III
容量/Capacity480GB960GB1.92TB3.84TB
128KB 顺序读 (MB/s)
128KB Sequential Read (MB/s)
530530530530
128KB 顺序写 (MB/s)
128KB Sequential Write (MB/s)
300510510510
4KB 随机读 (IOPS)
Sustained Random Read (4KB) IOPS
80K80K80K80K
4KB 随机写 (IOPS)
Sustained Random Write (4KB) IOPS
11K30K50K50K
4KB 随机读延时 (μs)
4KB Random Read Latency (μs)
105105105105
4KB 随机写延时 (μs)
4KB Random Write Latency (μs)
95363636
典型功耗 (W)
Typical Power(W)
5.55.55.55.5
空闲功耗 (W)
ldle Power (W)
1.71.71.71.7
DWPD, 5 years0.8 DWPD1 DWPD1 DWPD1 DWPD
MTBF200 万小时(2 million hours)
UBER≤ 10^-17
介质类型
NAND Flash Type
eTLC NAND Flash
工作温度
Operating Temperature
0℃ ~ 70℃
可定制的数据安全方案 
Customizable Data Security Solution
AES-128/256
备注:产品性能因操作系统和固件版本不同会存在差异。
NOTES:Performance may vary due to different system configurations and firmware version.
产品名称/ProductDongting-S1 2000
外形/Form FactorSATA
接口/InterfaceSATA III
容量/Capacity480GB960GB1.92TB3.84TB7.68TB
128KB 顺序读 (MB/s)
128KB Sequential Read (MB/s)
560560560560560
128KB 顺序写 (MB/s)
128KB Sequential Write (MB/s)
535535535535535
4KB 随机读 (IOPS)
Sustained Random Read (4KB) IOPS
99K99K99K99K99K
4KB 随机写 (IOPS)
Sustained Random Write (4KB) IOPS
40K50K50K50K50K
4KB 随机读延时 (μs)
4KB Random Read Latency (μs)
8585858585
4KB 随机写延时 (μs)
4KB Random Write Latency (μs)
2626262626
典型功耗 (W)
Typical Power(W)
<4.5<4.5<4.5<4.5<4.5
空闲功耗 (W)
ldle Power (W)
1.61.61.61.61.6
DWPD, 5 years1 DWPD1 DWPD1 DWPD1 DWPD1 DWPD
MTBF200 万小时(2 million hours)
UBER≤ 10^-17
介质类型
NAND Flash Type
eTLC NAND Flash
工作温度
Operating Temperature
0℃ ~ 70℃
可定制的数据安全方案 
Customizable Data Security Solution
AES-128/256 
TCG Opal 2.01
备注:产品性能因操作系统和固件版本不同会存在差异。
NOTES:Performance may vary due to different system configurations and firmware version.

为存储领域中的不同类型、不同阶段用户
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