2025年03月27日，2025国际集成电路展览会暨研讨会（IIC Shanghai）同期高端峰会——中国IC领袖峰会在上海金茂君悦大酒店成功举行，英韧科技创始人、董事长吴子宁博士作为半导体行业领军人物，应邀发表题为《大容量、高能效：AI时代下的数据存储创新与挑战》的主旨演讲，与全球IC产业领袖共探技术革新路径与行业发展机遇。
根据国际数据公司IDC预测，2024年全球生成数据约159.2ZB（十万亿亿字节），到2028年将增加一倍以上，达到384.6ZB。吴子宁博士表示：中国数据中心和企业级SSD将成为巨大增量市场，国内企业级固态硬盘市场增长空间广阔，并将进一步由PCIe类产品主导。
面对AI大模型需要“计算-存储-网络””三位一体协同演进，对存储技术提出了更新的要求，英韧科技聚焦“大容量”和“高吞吐量 （IOPS）”，从多个角度提出了对应的创新解决方案：
除了与GPU直接对接的GPU-Direct交互，近几年新兴的CXL技术也值得关注，这种方式利用CPU总线和外部的I/O设备总线连接，让存储可以通过内存扩展的方式高速互联，构建更大的存储池，成为高带宽、低延迟的AI应用场景更好的选择。
传统的存储介质有HBM/DDR和FLASH，但两者在成本和效能间需要权衡。铠侠推出的XL-FLASH就是一种介于HBM/DDR和FLASH之间的存储介质，利用这种超低延迟的FLASH结合CXL技术，就可以实现具备更高性能、更低延迟，且性价比更优的存储产品。
功耗的优化一直是存储芯片的关键要点，英韧科技创新性地采用“动态能效调节”——一种芯片级的智能功耗调整技术，主动进行流量控制和监控，可大幅提升存储能效。经测试，采用此项技术的企业级固态硬盘NAND IO功耗可降低28%，SSD整盘功耗可降低10%，为绿色数据中心的建立提供技术支撑。
创新是英韧科技的基因，也正是因为对创新的不断追求，才能让英韧凭借高速的产品迭代始终走在市场前沿。当前，PCIe 5.0 SSD正在加速渗透市场，英韧科技的PCIe 5.0产品矩阵同样聚焦AI应用，包括：
1、聚焦高性能的通用产品洞庭-N3(Dongting-N3)系列；
2、面对大容量需求、采用了QLC NAND的洞庭-N3Q(Dongting-N3Q)系列；
3、追求极致性能、采用XL-FLASH和SLC NAND的洞庭-N3X(Dongting-N3X)系列。
同时，英韧科技通过“全自研主控+国产颗粒+场景化产品”三维联动，构建起覆盖全协议、全场景的企业级存储生态体系，并由此赢得2025中国IC设计成就奖之年度创新IC设计公司！
英韧科技以自研主控芯片为核心起点，以“高迭代”与“全布局” 为双轮驱动战略，快速构建起贯穿消费级、企业级与工业级市场的立体化产品体系，以持续的技术突破、全面的产品布局、跨越式的营收增长得到诸多认可，成为国内TOP 10存储器厂商！
此次登榜不仅是对英韧科技技术实力与创新能力的权威认可，更是对英韧在AI时代下引领存储技术变革的充分肯定。面对全球数据量的爆发式增长与AI大模型对存储产品的严苛需求，英韧科技将通过PCIe 5.0产品矩阵与更多技术布局持续突破存储容量与吞吐量的边界，为AI和云计算提供高效、安全、可靠的存储解决方案。
未来，英韧科技将保持“创新”与“坚韧”的初心，继续打磨技术、深耕产品、应用创新，从而更好地赋能客户，以创新之力书写“存储未来，传输无限”的新篇章。
